近期
由西安电子科技大学郝跃院士领衔总策划
国内宽禁带半导体研究领域
第一套系列科技专著
“宽禁带半导体前沿丛书”
由西电出版社出版发行
该丛书筹划三年来，在郝跃院士的积极筹划下，依托微电子优势学科地位，邀请郑有炓院士、刘明院士、江风益院士及北京大学、南京大学、中国科技大学、中山大学、西安电子科技大学、山东大学、中科院微电子研究所、中科院半导体研究所、中科院苏州纳米技术研究所等十余所高校、研究所近40位中青年微电子专家组成强大编委会。经西电出版社积极申报，成功入选年国家出版基金项目。
该丛书瞄准世界科技前沿和产业热点，反映我国宽禁带半导体研究领域核心科技创新，以服务国家重大战略和学科发展需求为宗旨，致力于梳理宽禁带半导体基础前沿与核心科学技术问题，从半导体材料的表征、机制、应用和器件的制备等多个方面，介绍宽禁带半导体领域的前沿理论、核心技术及最新研究进展，具有科学性、创新性和前瞻性，市场需求迫切，填补了宽禁带半导体领域系列科技图书出版的市场空白。
据悉，该丛书由12部专著组成，包括《氮化镓基半导体异质结构及二维电子气》《氮化物半导体准范德华外延及应用》《氮化镓单晶材料生长与应用》《氮化铝单晶材料生长与应用》《氮化物半导体太赫兹器件》《氧化镓半导体器件》《宽禁带半导体紫外光电探测器》《宽禁带半导体核辐射探测器》《宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能》《金刚石半导体器件前沿技术》《宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征》《氮化镓微波功率器件》等著作。另外，为了生动反映彩色插图的原貌，这套系列丛书采用了黑白插图加