书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：InGaP和GaAs在HCl中的湿蚀刻
编号：JFSJ-21-0
作者：炬丰科技
InGaP，湿法蚀刻，蚀刻速率
在H3P04和H不同含量的HC1:H3P04:H溶液中，我们测量了晶格匹配的InGaP和GaAs的腐蚀速率。相比之下，H含量的影响较小。HC1:H3P04:H(1:10:1)腐蚀剂的老化对InGaP的腐蚀速率没有影响，而对GaAs的腐蚀速率明显降低。对于这种溶液，我们测量了温度对腐蚀速率的依赖关系。当温度从20°C升高到44°C时，腐蚀速率增加了大约三倍。在溶液中不存在h的情况下，可以在GaAs上实现InGaP的高选择性刻蚀。在HC1:H3P04和HC1:H20溶液中，InGaP的腐蚀速率随HCl的摩尔分数的变化而迅速变化。
InGaP是一种宽带隙化合物半导体，目前备受